软件控制的脉冲蒸发
然而，这种测量碳膜厚度方法也有一些弊端。碳蒸发产生的热量和光线会影响晶振片振荡的频率。过一段时间，等数值稳定后，才能得出合理的膜厚测量结果。图1和图2展示了蒸发过程随着时间推移影响晶振片的过程。Flash蒸发以全功率燃烧整段碳绳。脉冲蒸发是通过一个短的特定电压发生的，以沉积少量的碳材料。Flash蒸发可以得到更厚的膜层，但其结果只受碳绳影响。在Flash蒸发过程中，样品产生大量热量。使用脉冲蒸发时，膜厚受每个脉冲的功率、脉冲时间和脉冲数量影响。相比Flash蒸发，脉冲蒸发产生的热量更少。
软件控制的碳绳脉冲蒸发是一种创新方法（由Leica Microsystems为Leica EM ACE镀膜机的新系列开发），它简化了以前复杂的过程。在每个特定的短脉冲之后，每一个脉冲后的膜厚都会得到测量。信息会反馈到过程控制中，然后再执行一个脉冲，或成功完成镀膜。这种方法首次满足了高度精确的要求，创造出了1或2纳米厚的薄层，无需经验即可完美重现。
![[Translate to chinese:] Images of the same area of a processed wafer taken with standard (left) and oblique (right) brightfield illumination using a Leica compound microscope. The defect on the wafer surface is clearly more visible with oblique illumination.](/fileadmin/_processed_/9/1/csm_Processed_wafer_standard_and_oblique_brightfield_illumination_c01940e12e.jpg "[Translate to chinese:] Images of the same area of a processed wafer taken with standard (left) and oblique (right) brightfield illumination using a Leica compound microscope. The defect on the wafer surface is clearly more visible with oblique illuminati")
